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J-GLOBAL ID：200903072242437760
ドライエッチング方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992115593
Publication number (International publication number)：1994295993
Application date： May. 08, 1992
Publication date： Oct. 21, 1994
Summary：
【要約】【目的】 高誘電体膜SrTiO3 膜を微細加工【構成】 下地絶縁膜1上に形成したSrTiO3 膜2をレジスト3をマスクに、C1系ガスまたはBr系にSF6 ,CF4 などのF系のガスを添加した混合ガスを用いて、低圧力、高密度プラズマ下でエッチングする。残渣を生じること無く、異方的にサブミクロン以下の形状を加工することができる。また、エッチング中で発生した側壁膜4は、エッチングマスク3を除去する前に、氷酢酸のヨウ素液と硝酸とフッ酸の混合溶液にて除去し、その後、エッチングマスクを除去することで、パターニングされたSrTiO3 膜のみを残す。
Claim (excerpt)：
高誘電体SrTiO3 のドライエッチング工程に於いて、C1系ガスまたはBr系ガスを用いて、プラズマエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (4)：
H01L 27/108
, H01L 21/302
, H01L 27/04
, H01L 39/24 ZAA
