Pat

J-GLOBAL ID：200903072245121608

プラズマ処理方法

Inventor： 新井 泉 ,  西川 浩 ,  田原 好文 ,  三田野 好伸
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 金本 哲男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993346196
Publication number (International publication number)：1994338476
Application date： Dec. 22, 1993
Publication date： Dec. 06, 1994
Summary：

【要約】【目的】 処理室内のプラズマ雰囲気下で半導体ウエハに対してエッチング処理を施す場合に、半導体ウエハのチャージアップを防止するとともに、エッチングレートを向上させる。【構成】 基本波を発生する発振器G1と、その周波数の整数倍波を発生する発振器G2〜Gnと、さらに各発振器G1〜Gnに対応する可変減衰器A1〜Anを用いて、これらの出力波形を合成させて周波数変調を行い、下部電極であるサセプタ55に印加させる。出力波形によって、プラズマ解離段階の進行を制御して過剰な入射イオンの生成を防止し、さらに入射イオンの加速の制御も行える。

Claim (excerpt)：

高周波電力によって処理室内にプラズマを発生させ、当該処理室内の被処理体に対して前記プラズマ雰囲気の下で処理を施す方法において、前記高周波電力に低周波電力による周波数変調を加えたことを特徴とする、プラズマ処理方法。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00