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J-GLOBAL ID：200903072252119899
プラズマ励起CVDによるシリコンオキシナイトライド膜の堆積方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994319916
Publication number (International publication number)：1996003749
Application date： Dec. 22, 1994
Publication date： Jan. 09, 1996
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、アンモニアを基礎とする化学を用いずに、低い処理温度にてシリコンオキシナイトライド膜を生成する方法を提供することを目的とする。【構成】 シリコンオキシナイトライドを形成する改良方法は、250°Cより低い堆積温度で、シラン、亜酸化窒素及び窒素の反応体ガス混合物を利用し、これらをガス流入マニホールドを介して流す。多くの場合は、ガス流入マニホールドもプラズマ励起CVDチャンバ内の電極である。ガス流入マニホールドは、反応体ガスをチャンバ内に流通させるための、平行板プラズマチャンバの1枚の板である。この板は複数の開口を有し、各開口はチャンバ側ないし板の処理側に出口と、処理側から離れた入口とを備え、ガスの解離度と反応性とを高めるために、この出口は入口よりも大きくなっている。
Claim (excerpt)：
実質的にアンモニア非含有である反応体ガス混合物を用いて、250°C未満の堆積温度でシリコンオキシナイトライド膜を基板上に堆積する堆積方法。
IPC (4)：
C23C 16/34
, C01B 21/068
, C01B 21/082
, C23C 16/50
