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J-GLOBAL ID：200903072292561276

ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ・セル用誘電体皮膜およびその形成方法

Inventor： パイ-フング・パン
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
Agent (1)： 頓宮 孝一 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992143929
Publication number (International publication number)：1993190796
Application date： Jun. 04, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)セルの記憶キャパシタに使用する超薄形三重層誘電体皮膜を提供する。【構成】 この発明の薄い誘電体皮膜10の等価厚みは約7nm以下である。キャパシタ皮膜を作成するには、基板上の二酸化シリコンの薄膜を窒化し、またはシリコン基板もしくは基板に付着させたシリコンを直接窒化して、酸窒化シリコン層11を形成する。酸窒化シリコン層の上に薄い窒化シリコン層12を付着させ、その上部を高温で短時間酸化して窒化シリコン層上部を薄い二酸化シリコン層13に変換する。得られた構造は、等価厚みが7nm以下で、キャパシタンスが高い、酸窒化シリコン/窒化シリコン/二酸化シリコン誘電体皮膜である。

Claim (excerpt)：

ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRAM)セルの記憶キャパシタとして使用する誘電体皮膜において、薄い酸窒化シリコン層と、上記酸窒化シリコン層に隣接する薄い窒化シリコン層と、上記窒化シリコン層に隣接する薄い二酸化シリコン層とを備え、上記誘電体皮膜が約7nmを超えない等価厚みを有することを特徴とする、誘電体皮膜。

IPC (3)：

H01L 27/108 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/318

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-316465
  
• 特開昭62-002563