Pat

J-GLOBAL ID：200903072293065256

セラミックスラドン放出線源とその製造方法

Inventor： 小泉 彰 ,  山田 裕司 ,  下 道國 ,  長谷川 良雄 ,  戸祭 智 ,  蓼沼 克嘉
Applicant, Patent owner： 科学技術庁放射線医学総合研究所長 ,  株式会社化研 ,  小泉 彰 ,  山田 裕司 ,  下 道國
Agent (1)： 北條 和由
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999144520
Publication number (International publication number)：2000327457
Application date： May. 25, 1999
Publication date： Nov. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】 高濃度のラドンガスを長期にわたって安定して放出することができ、しかも取り扱いが容易で、耐水性の高いセラミックスラドン放出線源を得る。【解決手段】 セラミックスラドン放出線源は、多孔質セラミックスからなるセラミックス担体に水に不要なラジウム塩が定着されている。このようなセラミックスラドン放出線源は、多孔質セラミックスからなるセラミックス担体を得る第一の工程と、このセラミックス担体に放射性ラジウム溶液を含浸する第二の工程と、セラミックス担体中に放射性ラジウム塩を析出させる第三の工程と、この放射性ラジウム塩を高温で熱処理することにより、水に不溶なラジウム塩を焼結させセラミックス担体に定着させる第四の工程とを経ることにより製造する。

Claim (excerpt)：

放射性ラドンガスを放出するラドン放出線源であって、多孔質セラミックスからなるセラミックス担体に水に不溶な放射性ラジウムが定着されていることを特徴とするセラミックスラドン放出線源。

IPC (4)：

C04B 41/85 ,  C04B 35/565 ,  C04B 41/89 ,  G21G 4/06

FI (5)：

C04B 41/85 C ,  C04B 41/89 K ,  G21G 4/06 ,  C04B 35/56 101 X ,  C04B 35/56 101 Y

F-Term (13)：

4G001BA25 ,  4G001BA77 ,  4G001BA81 ,  4G001BB22 ,  4G001BB25 ,  4G001BB85 ,  4G001BC22 ,  4G001BC32 ,  4G001BC33 ,  4G001BC71 ,  4G001BD00 ,  4G001BD36 ,  4G001BE35

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特開昭60-060991
  
• 特開昭50-114415
  

Cited by examiner (2)

• 特開昭60-060991
  
• 特開昭50-114415