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J-GLOBAL ID：200903072298897241
メモリデバイス及びその駆動方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
稲葉 良幸 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000200276
Publication number (International publication number)：2002026277
Application date： Jun. 30, 2000
Publication date： Jan. 25, 2002
Summary：
【要約】【課題】 回路構造を単純化し、高集積された層構造のメモリデバイスを提供する。【解決手段】 有機メモリ材料層を積層し、各有機メモリ材料層の一方の面に沿って複数の線状電極をX方向に並列し、他方の面に沿って複数の線状電極を前記X方向に並列した線状電極と直交するY方向に並列し、有機メモリ材料層を挟んで両線状電極が交差する位置にそれぞれメモリセルを形成する単純マトリクス構造のメモリデバイスとする。更に、相隣接する有機メモリ材料層における対応位置のメモリセルは、少なくともX方向に並列された線状電極又はY方向に並列された線状電極のいずれか一方を共有している構造とする。
Claim (excerpt)：
有機メモリ材料層を積層し、各有機メモリ材料層に複数のメモリセルを形成し、各メモリセルには有機メモリ材料層を挟む1対の電極を設けたメモリデバイスであって、相隣接する有機メモリ材料層における対応位置のメモリセルは、前記1対の電極のうちの少なくとも一方を共有していることを特徴とするメモリデバイス。
IPC (3)：
H01L 27/10 451
, G11C 11/22
, H01L 51/00
H01L 27/10 451
, G11C 11/22
, H01L 29/28
