Pat
J-GLOBAL ID:200903072308909006
不揮発性メモリにおける自己修復方法および不揮発性メモリ装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
高橋 詔男 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999228874
Publication number (International publication number):2001051883
Application date: Aug. 12, 1999
Publication date: Feb. 23, 2001
Summary:
【要約】【課題】 電源断等の異常により書き込み途中で処理を終了した場合、次回起動時に自動的に書き込み前の状態に復元する不揮発性メモリの自己修復方法および不揮発性メモリ装置を提供する。【解決手段】 データの書き込み処理に先立ち、論理アドレスとデータ書き換え前の旧物理アドレスと新たに割り当てた新物理アドレスを、それぞれ論理アドレスバッファ404、旧物理アドレスバッファ405、新物理アドレスバッファ406に格納するとともに、書き込み中フラグ103を有効にしてからデータをメモリ106に書き込み、書き込み完了後にデータ割り当てテーブル407を更新するとともに書き込み中フラグ103を無効にする。その結果、電源断等により書き込みが途中で終了した場合、次回起動時に書き込み前の状態に復元できる。
Claim (excerpt):
不揮発性メモリへ書き込むデータの論理アドレスが指定されたことに応じて、前記論理アドレスが割り当てられている旧物理アドレスおよび未使用の新物理アドレスを管理テーブルで検索し、前記論理アドレス、旧物理アドレスおよび新物理アドレスをそれぞれ論理アドレス格納手段、旧物理アドレス格納手段および新物理アドレス格納手段に格納するとともに、書き込み中フラグを有効にした後に前記データを前記不揮発性メモリの前記新物理アドレスに書き込み、書き込み完了後に前記旧物理アドレスに割り当てられている前記論理アドレスを未使用状態に、前記新物理アドレスに前記論理アドレスを割り当てるように前記管理テーブルを更新するとともに前記書き込み中フラグを無効にするように制御し、また、前記不揮発性メモリの再起動時に、前記書き込み中フラグが有効である場合には、前記新物理アドレス格納手段に格納されている新物理アドレスに割り当てられている論理アドレスを未使用状態に、前記旧物理アドレス格納手段に格納されている旧物理アドレスに割り当てられている論理アドレスを前記論理アドレス格納手段に格納されている前記論理アドレスに戻すように前記管理テーブルを更新した後に、前記書き込み中フラグを無効にするように制御することを特徴とする不揮発性メモリにおける自己修復方法。
IPC (3):
G06F 12/00 531
, G06F 12/00 542
, G06K 19/073
FI (3):
G06F 12/00 531 R
, G06F 12/00 542 M
, G06K 19/00 P
F-Term (8):
5B035AA11
, 5B035BB09
, 5B035CA34
, 5B082DB05
, 5B082DC05
, 5B082JA04
, 5B082JA08
, 5B082JA11
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (10)
-
ICメモリカードの記憶管理方式
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-033172
Applicant:富士写真フイルム株式会社
-
メモリカード管理方式
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-244766
Applicant:富士写真フイルム株式会社
-
メモリ書替え装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-072829
Applicant:富士通株式会社
Show all
Return to Previous Page