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J-GLOBAL ID：200903072323512376

半導体装置の表面処理方法

Inventor： 八谷 光芳
Applicant, Patent owner： 日本ビクター株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992359328
Publication number (International publication number)：1994196473
Application date： Dec. 24, 1992
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 Alを含むIII-V 族化合物半導体基板の表面の酸化膜を除去して清浄な結晶表面を得る表面処理方法を提供する。【構成】 Alを含むIII-V 族化合物半導体からなる結晶基板12の表面を酸化剤を含む薬液でエッチングして自然酸化膜13を除去した後、薬液中の酸化剤の作用で先のエッチングで露出した基板表面に酸化膜14を再形成した後、直ちに、リン酸水溶液でこの酸化膜14を除去するようにした半導体装置の表面処理方法。

Claim (excerpt)：

Alを含むIII-V 族化合物半導体からなる結晶基板の表面処理において、酸化剤を含む薬液で酸化膜を含む基板表面層をエッチングした後、薬液中の酸化剤の作用で先のエッチングで露出した基板表面に酸化膜を再形成後、直ちに、リン酸水溶液でこの酸化膜を除去することを特徴とする半導体装置の表面処理方法。

IPC (2)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/304 341