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J-GLOBAL ID:200903072332148903

光露光用マスク

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 青山 葆 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992000176
Publication number (International publication number):1993181257
Application date: Jan. 06, 1992
Publication date: Jul. 23, 1993
Summary:
【要約】【目的】 簡単に作製できる上、256メガビットDRAMに必要とされる最小線幅0.2μmまでの微細加工を行うことができる光露光用マスクを提供する。【構成】 露光光に対して透明な基板11上に、上記露光光に対して吸収を生ずる半透明材料からなる位相シフト膜12を設ける。位相シフト膜12の上記露光光に対する透過率を40〜90%に設定する。
Claim (excerpt):
露光光に対して透明な基板上に、位相シフト膜を有する光露光用マスクにおいて、上記位相シフト膜は、上記露光光に対して吸収を生ずる半透明材料からなることを特徴とする光露光用マスク。
IPC (2):
G03F 1/08 ,  H01L 21/027
FI (2):
H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 311 W

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