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J-GLOBAL ID：200903072334227894

半導体発光装置

Inventor： 倉又 朗人
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 有我 軍一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994189178
Publication number (International publication number)：1996056054
Application date： Aug. 11, 1994
Publication date： Feb. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】 高品質な結晶性のクラッド層を得ることができ、結晶を高品質に保ったまま格子整合した素子構造を容易に形成することができる。【構成】 活性層4,12,15,18がクラッド層3,5で挟まれた半導体発光装置において、該クラッド層3,5を結晶構造がウルツァイト型のAl<SB>x </SB>Ga<SB></SB><SB>1-x </SB>P<SB>y </SB>N<SB>1-y </SB>(但し、0<x≦1とし、かつ0<y≦0.2とする)混晶から形成してなる。

Claim (excerpt)：

活性層(4,12,15,18)がクラッド層(3,5)で挟まれた半導体発光装置において、該クラッド層(3,5)を結晶構造がウルツァイト型のAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x </SB>P<SB>y </SB>N<SB>1-y </SB>(但し、0<x≦1とし、かつ0<y≦0.2とする)混晶から形成してなることを特徴とする半導体発光装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00