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J-GLOBAL ID：200903072349298461

化合物半導体エピタキシャルウェハ及びそれを用いたトランジスタ

Inventor： 土屋 忠厳 ,  木原 倫夫
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000240379
Publication number (International publication number)：2002050758
Application date： Aug. 03, 2000
Publication date： Feb. 15, 2002
Summary：

【要約】【課題】 正孔をキャリアとする化合物半導体エピタキシャルウェハ及びそれを用いたトランジスタを提供する。【解決手段】 チャネル層5の下部に、キャリア供給層6と線膨張係数が等しいか大きいバッファ層7を十分な厚さで挿入することにより、キャリア供給層6に生じる引っ張り歪を緩和し、ヘテロ界面への電子の誘起を押さえて2次元正孔ガスを発生させることができ、この結果、正孔をキャリアとするp型FETを実現することができる。

Claim (excerpt)：

サファイア基板上に、GaN、AlGaN及びAlNのうち少なくともAlGaNを有するバッファ層を形成し、該バッファ層の上にGaN及びp型AlGaNのヘテロ接合を形成し、上記バッファ層のAlGaN層の膜厚をエピタキシャルウェハ全体におけるGaN層の膜厚より厚くしたことを特徴とする化合物半導体エピタキシャルウェハ。

IPC (5)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/205

FI (3)：

C30B 29/40 502 H ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/80 H

F-Term (27)：

4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045AF09 ,  5F045CA06 ,  5F045DA53 ,  5F045DP02 ,  5F045DQ06 ,  5F045EH11 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ03 ,  5F102GQ09 ,  5F102HC01