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J-GLOBAL ID：200903072350939403
半導体レーザチツプキヤリア及び偏波合成システム
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
内原 晋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991282424
Publication number (International publication number)：1993121838
Application date： Oct. 29, 1991
Publication date： May. 18, 1993
Summary：
【要約】【目的】垂直な偏波の光と水平な偏波の光とを合成する偏波合成システムにおいて、半導体レーザ素子からの出射光の光軸合わせを容易とし、小型化,低価格化を図る。【構成】チップキャリア11に2つの半導体レーザ素子21,22を装着する際、半導体レーザ素子21の偏波面が垂直に、半導体レーザ素子22の出射光101は同一平面上で各レーザ素子から当距離の位置で直角に交わるように装着する。この交点に偏波合成膜41を配置し、各レンズ31,32,33ともに合成した光を光ファイバ51へ出力する。
Claim (excerpt)：
偏波合成すべき垂直な偏波面の第1の出射光及び水平な偏波面の第2の出射光の各各をそれぞれ発生する第1の半導体レーザ素子と第2の半導体レーザ素子とを、前記第1及び第2の出射光が同一平面上の各発生源から当距離の位置で直角に交わるように装着したことを特徴とする半導体レーザチップキャリア。
IPC (2)：
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