Pat

J-GLOBAL ID：200903072357289447

強誘電体薄膜製造方法

Inventor： 白川 幸彦
Applicant, Patent owner： ティーディーケイ株式会社
Agent (1)： 南條 眞一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993280033
Publication number (International publication number)：1995111107
Application date： Oct. 13, 1993
Publication date： Apr. 25, 1995
Summary：

【要約】【目的】 ペロブスカイト相以外の異相部が形成されず、結晶粒径が均一な強誘電体薄膜製造方法を得る。【構成】 350°C〜450°Cに保持されたシリコン基板上にチタン酸ジルコン酸鉛の微結晶薄膜を形成し、この微結晶薄膜を700°Cにおいて約10分間熱処理し、結晶化する。また、チタン酸ジルコン酸鉛組成の薄膜を微結晶状態で形成するためにスパッタリング法を用い、その時の基板温度を350°C以上450°C以下とする。

Claim (excerpt)：

基板上に微結晶状態のチタン酸ジルコン酸鉛組成薄膜を形成し、前記微結晶状態のチタン酸ジルコン酸鉛組成薄膜を650°C〜800°Cの温度で熱処理して結晶成長を行うことにより、ペロブスカイト結晶構造のチタン酸ジルコン酸鉛薄膜を形成する強誘電体薄膜製造方法。

IPC (4)：

H01B 3/00 ,  H01B 3/12 301 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108