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J-GLOBAL ID：200903072363696801

半導体レーザとその製法

Inventor： 二木 誠 ,  安藤 勝己 ,  山本 直
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993231864
Publication number (International publication number)：1994196813
Application date： Sep. 17, 1993
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体レーザへの戻り光による反射光を減少させる。【構成】 半導体基体1上に、レーザダイオード部2が形成されて成る半導体レーザにおいて、少なくともそのレーザビーム出射端直下の前方面をレーザビーム出射端から後退させる。

Claim (excerpt)：

半導体基体上にレーザダイオード部が形成されて成り、少なくともそのレーザビーム出射端直下の上記半導体基体の前方面を、上記レーザビーム出射端の面から後退させて成ることを特徴とする半導体レーザ。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  G11B 7/125

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭61-128587
  
• 特開昭61-121486