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J-GLOBAL ID：200903072363930057

透明導電膜およびその製造方法並びにその用途

Inventor： 中澤 弘実 ,  内海 健太郎 ,  長崎 裕一 ,  黒澤 聡
Applicant, Patent owner： 東ソー株式会社 ,  ジオマテック株式会社
Agent (1)： 岸田 正行 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001294138
Publication number (International publication number)：2003100154
Application date： Sep. 26, 2001
Publication date： Apr. 04, 2003
Summary：

【要約】【課題】 有機ELパネルに好適な、膜表面が平坦で抵抗率が低く、仕事関数の大きな透明導電膜を提供し、また、この透明導電膜を成膜するに際して有用なスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 抵抗率が250μΩ・cm以下、表面凹凸の最大高低差(Z-max)/膜厚(t)が10%以下で仕事関数が4.9eV以上の特性を有する透明導電膜であり、このような透明導電膜は、実質的にIn,Sn,Ge,Gaおよび酸素からなる焼結体であって、GeとGaの含有量の和(Ge/(In+Sn+Ge)の原子比)+(Ga/(In+Sn+Ga)の原子比)が1〜6%以下であるスパッタリングターゲットをスパッタすることにより得られる。

Claim (excerpt)：

抵抗率が250μΩ・cm以下、かつ表面凹凸の最大高低差(Z-max)/膜厚(t)が10%以下、かつ仕事関数が4.9eV以上の特性を有することを特徴とする透明導電膜。

IPC (9)：

H01B 5/14 ,  B32B 7/02 104 ,  B32B 9/00 ,  C04B 35/457 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  H01B 13/00 503 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/28

FI (9)：

H01B 5/14 A ,  B32B 7/02 104 ,  B32B 9/00 A ,  C23C 14/08 D ,  C23C 14/34 A ,  H01B 13/00 503 B ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/28 ,  C04B 35/00 R

F-Term (49)：

3K007AB00 ,  3K007AB05 ,  3K007AB17 ,  3K007CA01 ,  3K007CB01 ,  3K007DA00 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  3K007FA03 ,  4F100AA17B ,  4F100AA26B ,  4F100AA28B ,  4F100AG00A ,  4F100AR00B ,  4F100AT00A ,  4F100BA02 ,  4F100BA07 ,  4F100DD01B ,  4F100EH662 ,  4F100GB41 ,  4F100JG01 ,  4F100JG01B ,  4F100JG04 ,  4F100JG04B ,  4F100JN01 ,  4F100YY00B ,  4G030AA34 ,  4G030AA39 ,  4G030BA02 ,  4G030BA14 ,  4G030BA15 ,  4G030BA16 ,  4G030GA09 ,  4K029BA45 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC34 ,  4K029DC35 ,  5G307FA00 ,  5G307FA01 ,  5G307FB01 ,  5G307FC10 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 透明導電膜付き基板及び該透明導電膜付き基板を使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-147968   Applicant：日本板硝子株式会社