半導体装置、及びその作製方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004312684
Publication number (International publication number)：2005159332
Application date： Oct. 27, 2004
Publication date： Jun. 16, 2005
Summary：

【課題】本発明では、高速化及び高集積化が可能な半導体素子、及びそれが高集積された半導体装置、並びにこれらの作製方法を提供する。【解決手段】本発明は、基板の厚さ方向に積層されたソース領域、チャネル形成領域、及びドレイン領域と、絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重畳するゲート電極とを有し、前記チャネル形成領域は、極細炭素繊維で形成されている半導体装置である。本発明の半導体装置は、極細炭素繊維をチャネル形成領域に有し、かつ基板表面に対して縦方向に積層されている半導体素子を有するため、高集積化が可能である。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板の厚さ方向に積層されたソース領域、チャネル形成領域、及びドレイン領域と、絶縁膜を介して前記チャネル形成領域と重畳するゲート電極とを有し、前記チャネル形成領域は、極細炭素繊維で形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L29/786 , H01L21/336 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/78

FI (12)：

H01L29/78 618B , H01L29/06 601B , H01L29/06 601N , H01L29/78 652T , H01L29/78 653B , H01L29/78 653D , H01L29/78 626A , H01L29/78 301B , H01L29/78 301X , H01L29/78 301Y , H01L27/08 102B , H01L27/08 102E

F-Term (73)：

5F048AC01 , 5F048BA01 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB01 , 5F048BB06 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BC01 , 5F048BD01 , 5F048BD07 , 5F048BF02 , 5F048BF07 , 5F048BF12 , 5F048BF16 , 5F048CB07 , 5F110AA01 , 5F110AA09 , 5F110CC09 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE09 , 5F110EE22 , 5F110EE27 , 5F110FF01 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG07 , 5F110GG13 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG30 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK10 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HM02 , 5F110PP03 , 5F140AA01 , 5F140AA02 , 5F140BA01 , 5F140BA13 , 5F140BB04 , 5F140BD11 , 5F140BD12 , 5F140BE07 , 5F140BF00 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF44 , 5F140BF54 , 5F140BG38 , 5F140CA02 , 5F140CA03 , 5F140CA06 , 5F140CE07 , 5F140CE20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

炭素ナノチューブを用いたナノサイズ垂直トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-192414 Applicant：三星電子株式会社

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