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J-GLOBAL ID：200903072389624507

スパッタクリーニングチャンバーから堆積物をクリーニングする方法

Inventor： シアマク・サリミアン
Applicant, Patent owner： バリアン・アソシエイツ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 竹内 澄夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996150486
Publication number (International publication number)：1997139349
Application date： May. 23, 1996
Publication date： May. 27, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 シリコンウエハのプリ・クリーンエッチングに使用するスパッタクリーンチャンバーの内部表面のクリーニングをするための方法を提供する。【解決手段】 本発明の方法は:PVDメタライゼーションツールの在来のアルゴンスパッタエッチングモジュールで所定数のシリコンウエハをプリ・クリーニングする工程;複数のシリコンウエハがエッチングされた後、純粋なH2ガス、又はAr及びH2の混合ガスのいずれかから成るクリーニングガスを導入する工程;汚染物の除去を補助するためにリアクタを通じてクリーニングガスを流している間、所定時間の間にクリーニングガスでプラズマを励起する工程;及びクリーニングガスを除去し、ウエハのプリ・クリーニングを継続する工程から成る。

Claim (excerpt)：

真空チャンバーで行われるチャンバークリーニング処理を含むシリコンウエハクリーニング処理方法であって、(a)前記真空チャンバーに導入された後に前記真空チャンバーで第1のプラズマに変換される不活性ガスで一定数のシリコンウエハをエッチングする工程、(b)最後の前記一定数のシリコンウエハを前記真空チャンバーから取り出す工程、(c)H2から成る遊離フッ素、遊離塩素クリーニングガスを前記真空チャンバー内に導入する工程、(d)前記クリーニングガスを第2のプラズマに変換し、シリコンを含んだガスを形成するために、前記真空チャンバー内で、前記第2のプラズマ及びクリーニングガスをシリコンを含んだ堆積物と反応させる工程、及び(e)前記第2のプラズマが現存している間、前記シリコンを含んだガスを前記真空チャンバーから排気する工程、から成るシリコンウエハクリーニング処理方法。

IPC (5)：

H01L 21/203 ,  C23C 14/00 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/205

FI (6)：

H01L 21/203 M ,  C23C 14/00 B ,  C23F 4/00 E ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 N