導電性多孔質セラミックスの製造法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (2)：吉田俊夫 , 吉田和子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006158649
Publication number (International publication number)：2007326734
Application date： Jun. 07, 2006
Publication date： Dec. 20, 2007
Summary：

【課題】導電性多孔質セラミックスの製造法において、製膜原液中に添加される珪素化チタンTiSi2粉末粒子の平均粒子径が大きいものが用いられる場合にあってもあるいは珪素化チタンTiSi2粉末の充填濃度が高い場合にあっても、製膜原液中のこの珪素化チタン粉末の分散性が改善され、その結果得られる導電性多孔質セラミックス、特に中空糸膜状導電性多孔質セラミックスのハンドリング強度をさらに改善せしめる方法を提供する。【解決手段】珪素化チタンTiSi2粉末を高分子物質および塩基性高分子型分散剤の有機溶媒溶液中に高充填した製膜原液から複合膜を製膜し、得られた複合膜を焼成し、その際少くとも400°C以上の加熱温度範囲では真空または不活性雰囲気環境下で焼成することによって、珪素化チタンTiSiを主成分として形成される導電性多孔質セラミックスを製造する。導電性多孔質セラミックスは、好ましくは中空糸膜状として形成される。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

珪素化チタンTiSi2粉末を高分子物質および塩基性高分子型分散剤の有機溶媒溶液中に高充填した製膜原液から複合膜を製膜し、得られた複合膜を焼成し、その際少くとも400°C以上の加熱温度範囲では真空または不活性雰囲気環境下で焼成することを特徴とする導電性多孔質セラミックスの製造法。

IPC (2)：

C04B 38/00 , C04B 35/58

FI (2)：

C04B38/00 304Z , C04B35/58 106Z

F-Term (27)：

4G001BA48 , 4G001BB48 , 4G001BC13 , 4G001BC52 , 4G001BC54 , 4G001BD22 , 4G019GA04 , 5H017AA00 , 5H017AA10 , 5H017AS01 , 5H017BB04 , 5H017BB12 , 5H017BB17 , 5H017CC23 , 5H017CC27 , 5H017EE01 , 5H017HH03 , 5H017HH08 , 5H018AA01 , 5H018AS01 , 5H018BB01 , 5H018BB12 , 5H018CC03 , 5H018DD01 , 5H018EE10 , 5H018HH01 , 5H018HH08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

特公平5-66343号公報
多孔質メンブランおよびその製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平7-515587 Applicant：マイクロパイレティックスヒーターズインターナショナル

Cited by examiner (4)

珪化物系セラミックスを用いた整流子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-252786 Applicant：株式会社日立製作所, 日立工機株式会社
多孔質セラミックス膜及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-269138 Applicant：住友電気工業株式会社
セラミックス多孔質膜及びその製造法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-178388 Applicant：株式会社クボタ, 株式会社ニッカトー

Show all

Return to Previous Page