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J-GLOBAL ID：200903072398135535

薄膜永久磁石の製造方法

Inventor： 渡邊 雅人 ,  中山 孝文 ,  渡邊 清
Applicant, Patent owner： 財団法人電気磁気材料研究所
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993011817
Publication number (International publication number)：1994224038
Application date： Jan. 27, 1993
Publication date： Aug. 12, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明はFe及びPtを主成分とし、Ti,Nb,V,Ta,Mo,Pd,Auのうち一種または二種以上の元素を副成分とし、更に不可避の不純物を含む合金からなる薄膜永久磁石の製造方法に関する。【構成】 主成分としてPtを35〜60原子%含有し、残部がFe及び不可避の不純物からなる合金及びこれに副成分としてTi,Nb,V,Ta,Mo,Pd,Auのうち一種または二種以上の元素を0.1 〜10原子%含有する合金の薄膜を 300 〜800 °Cに加熱した基板上に窒素ガス及び/又は不活性ガスとの混合ガス雰囲気中でスパッタリングにより形成することを特徴とする薄膜永久磁石の製造方法。

Claim (excerpt)：

主成分としてPtを35〜60原子%含有し、残部がFe及び不純物としてMg,Mn,Si,Ti,C,Caのうち一種または二種以上を0.5原子%以下含有する合金の薄膜を300 〜800 °Cに加熱した基板上に形成することを特徴とする薄膜永久磁石の製造方法。

IPC (7)：

H01F 10/14 ,  C22C 5/04 ,  C22C 38/00 303 ,  C22F 1/14 ,  C23C 14/06 ,  H01F 7/02 ,  H01F 41/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平3-179709
  
• 特開昭57-178305
  
• 特開昭63-272007
  
• 特開昭58-130253
  
• 特開平4-219912