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J-GLOBAL ID：200903072408536304

窒化ガリウム蛍光体及びその製造方法

Inventor： 玉置 寛人 ,  亀島 正敏 ,  佐藤 義孝
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社 ,  双葉電子工業株式会社
Agent (1)： 豊栖 康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001117470
Publication number (International publication number)：2002309247
Application date： Apr. 16, 2001
Publication date： Oct. 23, 2002
Summary：

【要約】【課題】 発光特性の優れた窒化ガリウム蛍光体及びその製造方法を提供する。【解決手段】 一般式が次式で表される蛍光体の表面に、PとSbのうち少なくとも一種を含む表面処理化合物を、PとSbの総量が蛍光体100重量部に対して0.0001〜10.0重量部の範囲で被覆することにより、発光特性の優れた窒化ガリウム蛍光体を得る。(Ga,In)N:Y,Z(Ga,In,X)N:Y,Zただし、XはB、Alの少なくとも一種であり、YはBe、Zn、Mg、Ca、Sr、Ba、Cd及びHgからなる群より選ばれる少なくとも一種であり、ZはO、S、Se、Te、Pb、C、Si、Ge及びSnからなる群より選ばれる少なくとも一種である。

Claim (excerpt)：

蛍光体の粒子表面を、PとSbの少なくとも一種を含む表面処理化合物で被覆してなることを特徴とする窒化ガリウム蛍光体。

IPC (2)：

C09K 11/08 ,  C09K 11/62 CQF

FI (2)：

C09K 11/08 G ,  C09K 11/62 CQF

F-Term (25)：

4H001CA06 ,  4H001CC09 ,  4H001CC12 ,  4H001XA05 ,  4H001XA07 ,  4H001XA13 ,  4H001XA31 ,  4H001XA49 ,  4H001YA04 ,  4H001YA06 ,  4H001YA08 ,  4H001YA12 ,  4H001YA14 ,  4H001YA16 ,  4H001YA20 ,  4H001YA30 ,  4H001YA32 ,  4H001YA34 ,  4H001YA38 ,  4H001YA48 ,  4H001YA50 ,  4H001YA52 ,  4H001YA56 ,  4H001YA80 ,  4H001YA82

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 蛍光体、蛍光体の表面処理方法及び蛍光体層の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-037453   Applicant：キヤノン株式会社