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J-GLOBAL ID：200903072428345122

強誘電体薄膜構成体およびその製造方法

Inventor： 鳥井 秀雄 ,  藤井 映志 ,  服部 益三 ,  高山 良一
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 森本 義弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991308158
Publication number (International publication number)：1993145123
Application date： Nov. 25, 1991
Publication date： Jun. 11, 1993
Summary：

【要約】【目的】基板の種類にかかわらず、基板面に垂直に結晶配向したPbZrxTi1-x O3 (0≦x≦1)の強誘電体薄膜を得る。【構成】基板とその上に形成した薄膜からなる強誘電体薄膜構成体で、基板上に(100)面配向のNiOなどのNaCl型酸化物薄膜が、さらにその上に(001)面配向で化学式がPbZrx Ti1-x O3 (0≦x≦1)のペロブスカイト型酸化物の強誘電体薄膜が配置された二層膜構成するもので、基板上に、有機金属錯体蒸気を原料ガスとするプラズマ励起MO-CVD法により(100)面配向のNaCl型酸化物薄膜を形成し、さらにその上にスパッタ法により(001)面配向のペロブスカイト型酸化物PbZrx Ti1-x O3 (0≦x≦1)の強誘電体薄膜を形成することで製造される。

Claim (excerpt)：

基板上に(100)面配向のNaCl型結晶構造の酸化物薄膜が配置され、さらにその上に(001)面配向であり、化学式がPbZrx Ti1-x O3 で、組成範囲が0≦x≦1であるペロブスカイト型酸化物の強誘電体薄膜を配置された構成を特徴とする強誘電体薄膜構成体。

IPC (4)：

H01L 37/02 ,  G01J 1/02 ,  G01J 5/02 ,  H01L 41/24

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭62-211520
  
• 特開昭62-211520
  
• 特開昭57-193025
  
• 特開平1-099268
  
• 特開平2-057686