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J-GLOBAL ID：200903072447013386

半導体装置およびその製造方法、半導体製造装置、半導体基板の入炉方法

Inventor： 宇佐美 達矢
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997316932
Publication number (International publication number)：1999150109
Application date： Nov. 18, 1997
Publication date： Jun. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】 残留酸素が炉内で残る。ウエハの間に存在する空気の置換が十分に行えない。【解決手段】 炉101内の雰囲気を半導体基板104の入炉時に置換させる半導体基板の入炉方法において、酸素の分子量以上の不活性ガスおよび酸素の分子量未満の不活性ガスあるいは窒素ガスをガス導入口106から半導体基板104の入炉時に流す。

Claim (excerpt)：

炉内の雰囲気を半導体基板の入炉時に置換させる半導体基板の入炉方法において、酸素の分子量以上の不活性ガスおよび酸素の分子量未満の不活性ガスあるいは窒素ガスを半導体基板の入炉時に流すことを特徴とする半導体基板の入炉方法。

IPC (3)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 511

FI (3)：

H01L 21/31 E ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 511 S