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J-GLOBAL ID：200903072450440988

マイクロデバイス基板およびマイクロデバイス基板の製造方法

Inventor： 藤井 知 ,  後藤 登
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995126431
Publication number (International publication number)：1996321445
Application date： May. 25, 1995
Publication date： Dec. 03, 1996
Summary：

【要約】【目的】 マイクロデバイス加工用基板における「反り」の影響を実質的に除去ないし軽減したマイクロデバイス加工用基板ないしマイクロデバイス基板を提供する。【構成】 少なくとも一部が半導体材料からなり、そのデバイス形成用面1aと反対の面1b側に、該基板の「反り量」を低減する「歪み層」2が形成されているマイクロデバイス加工用基板1。

Claim (excerpt)：

少なくとも一部が半導体材料からなるマイクロデバイス加工用基板であって、前記基板のデバイス形成用面と反対の面側に、該基板の「反り量」を低減する歪み層が形成されていることを特徴とするマイクロデバイス加工用基板。

IPC (3)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/08 ,  H01L 21/304 321

FI (3)：

H01L 21/02 B ,  H01L 21/08 ,  H01L 21/304 321 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-165509
  
• 特開昭54-134563
  
• 特開昭53-076781