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J-GLOBAL ID：200903072463749724
半導体ウェーハの面取り部研磨方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
押田 良久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995030157
Publication number (International publication number)：1996197400
Application date： Jan. 25, 1995
Publication date： Aug. 06, 1996
Summary：
【要約】【目的】 半導体ウェーハのOFやノッチ部及び外周部に施した面取り部を鏡面研磨するに際し、従来の回転砥石のごとく目詰まりを起こして頻繁にドレッシングする必要がなく、さらに管理が困難で装置のメンテナンスに多大の手間を要するスラリーを使用することなく、微細砥粒による鏡面研磨を効率よく実施できる半導体ウェーハの面取り部研磨方法の提供。【構成】 半導体ウェーハ3の面取り部に、ボンド材と微細砥粒からなる弾性のある円筒状研磨砥石1を回転押圧して接触面に水のみを供給しながら研磨加工することにより、効率よく鏡面研磨できる。
Claim (excerpt)：
弾性のある合成樹脂系ボンド材と微細砥粒からなる弾性円筒状研磨砥石を回転駆動させ、半導体ウェーハの面取り部に押圧接触させると共にその接触部に水のみを滴下し、半導体ウェーハと研磨砥石を相対的に回転させながら該面取り部を鏡面研磨することを特徴とする半導体ウェーハの面取り部研磨方法。
IPC (5)：
B24B 9/00
, B24D 3/30
, B24D 5/02
, H01L 21/304 321
, H01L 21/304
