Pat
J-GLOBAL ID：200903072470949968
炭化珪素バルク単結晶の製造装置及び製造方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991347316
Publication number (International publication number)：1993178698
Application date： Dec. 27, 1991
Publication date： Jul. 20, 1993
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】 高品質な立方晶(3C型)の炭化珪素バルク単結晶を再現性よく実用的な成長速度で製造できるようにする。【構成】 種結晶1を用いた昇華再結晶法によって立方晶の炭化珪素バルク単結晶を製造する装置であって、空胴を有し、該空胴の下部に炭化珪素粉末からなる成長用原料2がセットされ、該空胴の上部に炭化珪素単結晶からなる種結晶1がセットされる被加熱容器と、該被加熱容器の下部の外側に設けられ、該原料を温度調整して加熱する下部ヒータ8bと、該被加熱容器の上部の外側に該下部ヒータ8bとは独立して設けられ、該種結晶1を温度調整して加熱する上部ヒータ8aと、該被加熱容器の内部圧力を調整する手段と、を具備する炭化珪素バルク単結晶の製造装置を用い、該種結晶1の表面に単結晶を0.1mm/時間以下の成長速度で成長させる第1の工程と、該単結晶を0.5〜1.5mm/時間の成長速度で成長させる第2の工程と、を含む。
Claim (excerpt)：
種結晶を用いた昇華再結晶法によって立方晶の炭化珪素バルク単結晶を製造する装置であって、空胴を有し、該空胴の下部に炭化珪素粉末からなる成長用原料がセットされ、該空胴の上部に炭化珪素単結晶からなる種結晶がセットされる被加熱容器と、該被加熱容器の下部の外側に設けられ、該原料を温度調整して加熱する下部ヒータと、該被加熱容器の上部の外側に該下部ヒータとは独立して設けられ、該種結晶を温度調整して加熱する上部ヒータと、該被加熱容器の内部圧力を調整する手段と、を具備する炭化珪素バルク単結晶の製造装置。
IPC (2)：
Return to Previous Page
