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J-GLOBAL ID：200903072476142551

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
中山 創

About 中山 創


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 高橋 光男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996214799
Publication number (International publication number)：1998065151
Application date： Aug. 14, 1996
Publication date： Mar. 06, 1998
Summary：
【要約】【課題】 ゲート電界による電流リークの発生を抑制するようなゲート電極構造を提供する。【解決手段】 本半導体装置10は、Si基板12上に、ゲート絶縁膜14、ゲート電極16及びゲートオフセット絶縁膜18からなるゲート電極構造を有する。ゲート電極構造の外側にはLDD拡散層の横方向拡散長さにほぼ等しい幅のSi3 N4 、SiO2 等からなる第1のサイドウォール20が形成されている。第1のサイドウォールの下側及び外側のSi基板表層には拡散層LDD構造部22が形成されている。第1のサイドウォールの外側にはSi3 N4 、SiO2 等からなる第2のサイドウォール24が形成されている。第2のサイドウォールの外側のSi基板表層にはソース/ドレイン拡散層26が形成されている。ゲート電極と拡散層LDD構造部とのオーバラップ領域が、存在しないか、または存在しても極めて小さいので、ゲート電極からの電界分布による電流リークが抑制される。ゲート/ソース間、及びゲート/ドレイン間の静電容量を小さくできる。
Claim (excerpt)：
ゲート電極の両側面にLDDサイドウォールとしてLDD拡散領域の横方向拡散長にほぼ等しい幅の第1のサイドウォールと、その外側に第2のサイドウォールを備え、第1のサイドウォールの下側及び外側の基板表層にLDD拡散領域を、第2のサイドウォールの下側の一部及び外側の基板表層にソース/ドレイン拡散領域をそれぞれ備えていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/336
FI (5)：
H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/318 B ,  H01L 29/78 301 L ,  H01L 29/78 301 P
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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