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J-GLOBAL ID：200903072477690641
突起電極の形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994332509
Publication number (International publication number)：1996167612
Application date： Dec. 12, 1994
Publication date： Jun. 25, 1996
Summary：
【要約】【目的】 半導体基板に形成する半田によるバンプ電極等の突起電極の形成方法において、ウェット方式のメッキによらず、ドライな環境で半田による突起電極が簡易に形成できるようにする。【構成】 基板1の電極3部に設けられた下地ペデスタル6上に形成する半田による突起電極14の形成方法であって、ベースシート10に貼着され、半田材を樹脂材とフラックスを混合したバインダーに混入させてシート状にした半田シート11を用い、この半田シート11を、ベースシート10側からの加熱を伴ったローラー12,13の押圧により、下地ペデスタル6およびその周囲の保護膜4上に貼着した後、加熱により半田材およびバインダーを溶融させて下地ペデスタル6上に集合させてから冷却固化することによって、半田による突起電極14を形成する。
Claim (excerpt)：
基板の電極部に設けられた下地金属層の上に形成する半田による突起電極の形成方法であって、半田材をバインダーに混入させてシート状にした半田シートを用い、この半田シートを前記電極部に設けられた前記下地金属層およびその周囲の保護膜上に貼着した後、加熱により前記半田材および前記バインダーを溶融させて前記電極部に設けられた前記下地金属層上に集合させてから冷却固化して前記半田による前記突起電極を形成することを特徴とする突起電極の形成方法。
FI (2)：
H01L 21/92 603 C
, H01L 21/92 604 E
