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J-GLOBAL ID:200903072479506627

半導体装置および半導体装置の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 高田 守 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994306133
Publication number (International publication number):1996162460
Application date: Dec. 09, 1994
Publication date: Jun. 21, 1996
Summary:
【要約】【目的】 配線層の信頼性を向上させることができる半導体装置を得る。【構成】 半導体基板1上に形成されたアルミニウムを含む配線層6と、配線層6上のみに形成された窒化チタン膜7と、窒化チタン膜7上のみに形成されたシリコン酸化膜8とを備える。
Claim (excerpt):
半導体基板上に形成されたアルミニウムを含む配線層と、上記配線層上のみに形成された窒化チタン膜と、上記窒化チタン膜上のみに形成されたシリコン酸化膜とを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4):
H01L 21/3213 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/3205
FI (2):
H01L 21/88 C ,  H01L 21/88 N
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 特開昭61-265836
  • 特開昭64-073643
  • 特開平4-234109

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