Pat

J-GLOBAL ID：200903072491014845

レーザーアニール法及び液晶表示装置

Inventor： 川村 哲也 ,  古田 守
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 森本 義弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995009369
Publication number (International publication number)：1996201846
Application date： Jan. 25, 1995
Publication date： Aug. 09, 1996
Summary：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタの素子能力のばらつきを抑え画像品質の低下が防止できるレーザーアニール法及び液晶表示装置を提供することを目的とする。【構成】 パルスレーザービームのエッジ部分が半導体層17,19を必ず照射する。この半導体層17,19が、走査側の駆動用薄膜トランジスタおよび信号側の駆動用薄膜トランジスタを形成する。

Claim (excerpt)：

液晶表示器に用いられる薄膜トランジスタ基板に対して、パルスレーザービームをその一部が重なるようにずらして照射し、前記薄膜トランジスタ基板に薄膜トランジスタを形成するレーザーアニール法において、画面用の薄膜トランジスタを駆動する駆動用の薄膜トランジスタを形成する半導体薄膜に対して、前記パルスレーザービームのエッジ部分を照射するレーザーアニール法。

IPC (6)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/13 101 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-282869
  
• アクテイブマトリクス基板及びアクテイブマトリクス基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-269677   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-023341   Applicant：富士ゼロックス株式会社