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J-GLOBAL ID：200903072496141497

酸化物セラミックス薄膜の製造方法

Inventor： 青山 拓 ,  久野 忠昭 ,  宮下 悟
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997097760
Publication number (International publication number)：1998291885
Application date： Apr. 15, 1997
Publication date： Nov. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】 酸化物セラミックス膜を作成する祭、酸素欠損が起きる。従来これを補償する方法として酸素雰囲気中での焼成や、結晶化後の酸素プラズマ後処理等があるがいずれも不完全で十分に酸素欠損を補えないことが課題であった。【解決手段】 基板上に非晶質膜を形成した後、これをオゾン処理してから結晶化させる。また、紫外線照射を大気中等で行い、紫外線処理とオゾン処理を同時に行うこととする。

Claim (excerpt)：

(1)基板上に非晶質状の前駆体膜を形成する工程と、(2)該前駆体膜をオゾン雰囲気中に曝す工程と、(3)これを結晶化させる工程とからなることを特徴とする酸化物セラミックス薄膜の製造方法。

IPC (6)：

C30B 1/02 ,  C30B 29/32 ,  H01L 21/316 ,  H01L 37/02 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/24

FI (8)：

C30B 1/02 ,  C30B 29/32 A ,  C30B 29/32 D ,  H01L 21/316 Y ,  H01L 37/02 ,  H01L 41/18 101 C ,  H01L 41/18 101 B ,  H01L 41/22 A