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J-GLOBAL ID：200903072505134946

III-V族化合物半導体発光素子及びその製造方法、並びに情報記録再生装置

Inventor： 小河 淳 ,  湯浅 貴之 ,  上田 吉裕 ,  津田 有三 ,  荒木 正浩
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 佐々木 晴康 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000144458
Publication number (International publication number)：2001326426
Application date： May. 17, 2000
Publication date： Nov. 22, 2001
Summary：

【要約】【課題】 Inを含む活性層をもつIII-V族化合物半導体発光素子においては、活性層の上のIII-V族半導体層を形成する際にInの遊離を防ぐために蒸発防止層が形成されている。しかし、従来の蒸発防止層ではその効果が不十分であった。【解決手段】 蒸発防止層に、活性層及びIII-V族半導体層よりも大きなバンドギャップを有し、かつAlxGayIn1-x-yN1-zαz(0≦x≦1、0≦y≦1、0.0001≦z≦1、αはP、As、Sb、Biの中から少なくとも1種類以上を示す)を用いる。

Claim (excerpt)：

活性層と蒸発防止層とIII-V族半導体層がこの順に形成されたIII-V族化合物半導体発光素子において、活性層はInの組成比が0.005以上1.0以下であり、蒸発防止層は、活性層及びIII-V族半導体層よりも大きなバンドギャップを有し、かつAlxGayIn1-x-yN1-zαz(0≦x≦1、0≦y≦1、0.0001≦z≦1、αはP、As、Sb、Biの中から少なくとも1種類以上を示す)からなることを特徴とするIII-V族化合物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 5/343 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 5/343 ,  H01L 33/00 C

F-Term (23)：

5F041AA03 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA36 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041FF13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA52 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB10 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24 ,  5F073DA35