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J-GLOBAL ID：200903072513302920

プラズマ処理装置

Inventor： 今福 光祐
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン山梨株式会社
Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992085387
Publication number (International publication number)：1993291187
Application date： Apr. 07, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 従来に較べて塵埃の発生を抑制することができ、歩留まりの向上を図ることのできるプラズマ処理装置を提供する。【構成】 クランプリング10の内側部には、半導体ウエハ5をガイドして下部電極3上の所定位置に位置決めするためのテーパ面10aが形成されており、このテーパ面10aには、厚さ例えば数十乃至百数十ミクロン程度の高分子樹脂膜10bが形成されている。

Claim (excerpt)：

被処理基板の外周縁部をテーパ面によってガイドし、該被処理基板を基板保持部の所定位置に導く位置決め機構を具備し、前記基板保持部に配設された前記被処理基板にプラズマを作用させて処理を行うプラズマ処理装置において、前記テーパ面に、高分子樹脂膜を形成したことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6)：

H01L 21/302 ,  C23C 14/22 ,  C23C 16/50 ,  C30B 25/12 ,  H01L 21/68 ,  H05H 1/46