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J-GLOBAL ID：200903072515321248

プラズマCVD方法及びその装置

Inventor： 豊田 一行 ,  田中 勉 ,  鈴木 貞之
Applicant, Patent owner： 国際電気株式会社
Agent (1)： 三好 祥二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995181123
Publication number (International publication number)：1997007960
Application date： Jun. 23, 1995
Publication date： Jan. 10, 1997
Summary：

【要約】【目的】プラズマCVD装置に於いて、低圧から高圧迄の広い圧力範囲でのCVDプロセスを可能とし、又プラズマ発生用の高周波電力を容易に変調可能とする。【構成】反応室外部にプラズマ発生用のコイル11を設置して装置を構成することによって低コスト化を図り、該コイルに印加する高周波電力を変調することにより、プラズマCVDのプロセスマージンを広げる。

Claim (excerpt)：

プラズマ発生用コイルに高周波電力を印加してプラズマを発生させ、プラズマを利用してCVDを行う方法に於いて、前記プラズマ発生用コイルに印加する高周波電力の1周期に於ける高周波電力の波高値の変化の態様を変更して、プラズマの電子温度制御を行うことを特徴とするプラズマCVD方法。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31

FI (3)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 C