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J-GLOBAL ID：200903072522764376

半導体素子

Inventor： 本間 荘一 ,  山田 浩 ,  舘山 和樹 ,  戎谷 隆 ,  斉藤 雅之
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995280777
Publication number (International publication number)：1997129647
Application date： Oct. 27, 1995
Publication date： May. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】 バンプのシェア強度の低下やバンプの剥離が発生せずに高い信頼性を有し、しかも、バリアメタルの形成工程を複雑化することなく製造可能な半導体素子を提供する。【解決手段】 バリアメタルを介して電極パッドの上にバンプが形成された半導体素子である。前記バリアメタルは、チタンを含む第1の膜、ニッケルチタン化合物を含む第2の膜、およびニッケルを含む第3の膜が順次形成された積層膜であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

バリアメタルを介して電極パッド上にバンプが形成された半導体素子であって、前記バリアメタルは、チタンを含む第1の膜、ニッケルチタン化合物を含む第2の膜、およびニッケルを含む第3の膜が順次形成された積層膜であることを特徴とする半導体素子。

FI (4)：

H01L 21/92 602 J ,  H01L 21/92 602 H ,  H01L 21/92 603 E ,  H01L 21/92 604 B