固体撮像装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小池隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999149107
Publication number (International publication number)：2000340783
Application date： May. 28, 1999
Publication date： Dec. 08, 2000
Summary：

【要約】【課題】遮光膜はゲート電極の短絡を防ぐため、フォト工程での合わせのばらつきを考慮したマージンが必要となり、ゲート電極からかなり距離をあけて形成されるため、受光部面積を確保することが困難となり、目的とする感度が得られなかった。【解決手段】ゲート電極9、10及び受光部上シリコン酸化膜11上にエッチングストップ膜16aとなるシリコン窒化膜を減圧CVD法等により形成する。次に、CVDシリコン酸化膜12にパターンが外周部がゲート電極9、10と重なったパターンでフォトリソグラフィを行い、CVDシリコン酸化膜のエッチング除去のエッチングマスクとなるレジストパターン17bを形成する。CVDシリコン酸化膜12のエッチングを行い、第1の遮光膜が形成される溝を形成する。その後、第1の遮光膜13の選択成長を行う。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に光電変換部と該光電変換部で発生した電荷信号を転送する電荷転送部とが形成された半導体基板上に絶縁膜を介して上記転送部上にゲート電極を形成した後、上記光電変換部及び電荷転送部を覆うように、層間絶縁膜を形成し、上記光電変換部上の該層間絶縁膜に溝を設け、該溝内に遮光膜を形成する工程を有する、固体撮像装置の製造方法において、上記ゲート電極を形成した後、上記光電変換部及び電荷転送部を覆うように、上記層間絶縁膜のエッチングの際のエッチングストップ膜を形成する工程と、上記エッチングストップ膜の上記光電変換部上の一部領域を除去する工程と、上記層間絶縁膜を形成し、その後、該層間絶縁膜を平坦化する工程と、上記光電変換部上領域の一部と上記ゲート電極上領域の一部とを含む領域が開口した所定の形状のレジストパターンをマスクに上記層間絶縁膜を、上記エッチングストップ膜表面が露出するまでエッチングを行うことにより、上記溝を形成する工程と、上記溝内の上記エッチングストップ膜を除去した後、上記溝に遮光膜を形成する工程を有することを特徴とする、固体撮像装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 27/148 , H04N 5/335

FI (2)：

H01L 27/14 B , H04N 5/335 F

F-Term (25)：

4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118AB10 , 4M118CA04 , 4M118CA32 , 4M118DA03 , 4M118DA18 , 4M118DA28 , 4M118FA06 , 4M118FA26 , 4M118FA35 , 4M118GB03 , 4M118GB07 , 4M118GB11 , 4M118GB19 , 5C024AA01 , 5C024BA00 , 5C024CA04 , 5C024CA12 , 5C024CA31 , 5C024FA01 , 5C024GA11 , 5C024GA43 , 5C024GA51 , 5C024GA52

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