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J-GLOBAL ID：200903072525750511

II-VI族化合物半導体およびその製造方法

Inventor： 難波江 宏一
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996254622
Publication number (International publication number)：1998107045
Application date： Sep. 26, 1996
Publication date： Apr. 24, 1998
Summary：

【要約】【課題】 長寿命で高出力の光デバイスが作製可能な均一で高品質な、GaAs基板上のII-VI族化合物半導体を提供する。【解決手段】 III-V族化合物基板上に構成元素としてInを含むIII-V族化合物半導体層を積層し、その上にII-VI族化合物半導体層を成長させ、前記Inを含むIII-V族化合物半導体層の厚さを臨界膜厚以下にする。

Claim (excerpt)：

GaAs基板上に構成元素としてInを含むIII-V族化合物半導体層を積層し、その上にII-VI族化合物半導体層を成長させるII-VI族化合物半導体の製造方法であって、前記Inを含むIII-V族化合物半導体層の厚さを臨界膜厚以下にすることを特徴とするII-VI族化合物半導体の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/363 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/365 ,  H01L 29/26 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (6)：

H01L 21/363 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/365 ,  H01L 33/00 D ,  H01S 3/18 ,  H01L 29/26

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 化合物半導体成長用基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-079718   Applicant：松下電器産業株式会社
• 青色発光素子およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-252475   Applicant：松下電器産業株式会社