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J-GLOBAL ID：200903072533030200

弾性表面波デバイス、モジュール装置、発振回路および弾性表面波デバイスの製造方法

Inventor：
大脇 卓弥

About 大脇 卓弥

, 
三井 雄治

About 三井 雄治

, 
吉澤 弦

About 吉澤 弦


Applicant, Patent owner：
エプソントヨコム株式会社

About エプソントヨコム株式会社


Agent (3)： 上柳 雅誉 ,  須澤 修 ,  宮坂 一彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007187896
Publication number (International publication number)：2007288812
Application date： Jul. 19, 2007
Publication date： Nov. 01, 2007
Summary：
【課題】水晶基板を用いた表面波デバイスであり、小型で、Q値が大きく、周波数エージング特性の優れたSH波型SAWデバイスを得る。【解決手段】圧電基板と、該圧電基板上に形成されAlを主成分とする合金からなるIDT電極とを備え、励振波をSH波とした弾性表面波デバイスであって、前記圧電基板は、回転Yカット水晶基板のカット角θを-64.0°<θ<-49.3°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶X軸に対し90°±5°とした水晶平板であり、励振する弾性表面波の波長をλとした時、前記IDT電極の波長で基準化した電極膜厚H/λを0.04<H/λ<0.12としたSH波型弾性表面波デバイスにおいて、前記圧電基板はウエットエッチングにより形成されたエッチング痕を有しており、前記IDT電極が前記圧電基板の前記エッチング痕を有する表面に形成されているSH波型弾性表面波デバイス。【選択図】図13
Claim (excerpt)：
圧電基板と、該圧電基板上に形成されAl又はAlを主成分とする合金からなるIDT電極とを備え、励振波をSH波とした弾性表面波デバイスであって、 前記圧電基板は、回転Yカット水晶基板のカット角θを結晶Z軸より反時計方向に-64.0°<θ<-49.3°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶X軸に対し90°±5°とした水晶平板であり、且つ、前記圧電基板の表面にウエットエッチングにより形成された一方から他方にはしるエッチング痕を有しており、 励振する弾性表面波の波長をλとした時、前記IDT電極の波長で基準化した電極膜厚H/λを0.04<H/λ<0.12とし、 前記IDT電極が前記圧電基板の前記エッチング痕を有する表面に形成されていることを特徴とするSH波型弾性表面波デバイス。
IPC (8)：
H03H 9/145 ,  H03H 9/25 ,  H03H 3/08 ,  H03H 9/64 ,  H03B 5/30 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/22
FI (11)：
H03H9/145 C ,  H03H9/25 C ,  H03H9/25 Z ,  H03H3/08 ,  H03H9/64 Z ,  H03B5/30 A ,  H01L41/08 U ,  H01L41/08 L ,  H01L41/18 101A ,  H01L41/08 J ,  H01L41/22 Z
F-Term (21)：
5J079AA06 ,  5J079BA39 ,  5J079BA44 ,  5J079HA22 ,  5J079JA01 ,  5J097AA24 ,  5J097AA29 ,  5J097BB11 ,  5J097BB14 ,  5J097CC03 ,  5J097DD04 ,  5J097DD05 ,  5J097DD09 ,  5J097FF03 ,  5J097GG02 ,  5J097GG05 ,  5J097GG07 ,  5J097KK05 ,  5J097KK06 ,  5J097KK07 ,  5J097KK09
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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