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J-GLOBAL ID：200903072535980442

半導体装置の製造方法

Inventor： 駒谷 務
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社 ,  富士通カンタムデバイス株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991237504
Publication number (International publication number)：1993074745
Application date： Sep. 18, 1991
Publication date： Mar. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体の選択的なエッチング方法に関し。欠陥を生ずることなくかつ精密にマスクパターンを転写することを目的とする。【構成】 半導体1上のマスク2を用いて半導体1を選択的にエッチングする工程と,選択的エッチングにより表出された半導体1の表出面4を酸化して酸化膜6を形成する酸化工程と,マスク2を用いて酸化膜6を選択的にエッチングして,エッチング領域の側壁部に形成された酸化膜6をマスク用酸化膜7として残し,マスク2の開口3直下に位置する該酸化膜6を除去する酸化膜エッチング工程と,マスク2及びマスク用酸化膜7をマスクとして半導体1を選択的にエッチングする選択エッチング工程とを有して構成し,及び,上記酸化工程,上記酸化膜エッチング工程及び上記選択エッチング工程を複数回繰り返し,所期の深さまでエッチングするように構成する。

Claim (excerpt)：

マスクを用いて半導体を選択的に異方性エッチングする工程を有する半導体装置の製造方法において,該半導体(1)上に設けられた該マスク(2)を用いて該半導体(1)を選択的にエッチングする第一の選択エッチング工程と,該半導体(1)の選択的エッチングにより表出された該半導体(1)の表出面(4)を酸化して酸化膜(6)を形成する酸化工程と,次いで,該マスク(2)を用いて該酸化膜(6)を選択的にエッチングして,該エッチング領域の側壁部に形成された該酸化膜(6)をマスク用酸化膜(7)として残し,該マスク(2)の開口(3)直下に位置する該酸化膜(6)を除去する酸化膜エッチング工程と,次いで,該マスク(2)及びマスク用酸化膜(7)をマスクとして該半導体(1)を選択的にエッチングする第二の選択エッチング工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。