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J-GLOBAL ID：200903072559814900

ソリッド・ステート・デバイスを用いたX線イメージ捕獲エレメントおよび方法

Inventor： デニー ラップ イェン リー ,  ローレンス カイ-ファン シェン
Applicant, Patent owner： イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー
Agent (1)： 谷 義一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993316975
Publication number (International publication number)：1994342098
Application date： Dec. 16, 1993
Publication date： Dec. 13, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ソリッド・ステート(固体素子)デバイスを使用してX線イメージを捕獲する方法および装置を提供すること。【構成】 X線イメージ捕獲エレメントは、上面と下面をもつ誘電基板層を含む。複数のトランジスタおよび複数の電荷蓄積キャパシタが誘電層の上面に隣接して配列されており、各キャパシタはトランジスタの少なくとも1つに接続された内側導電マイクロプレートを有する。導電アドレス・ラインとセンス・ラインは誘電層の上面に隣接して配置され、トランジスタをアクチベートして、キャパシタをアクセスする。光導電層はトランジスタ、アドレス・ラインおよびセンス・ライン上に積層され、上部導電層は誘電層に対向して光導電層上に積層されている。イメージ捕獲エレメントはさらに、内側マイクロプレートの各々の上面に隣接して配置された複数の電荷バリヤ(阻止)層と、光導電層および上部導電層の間に配置されたバリヤ誘電層とを含む。

Claim (excerpt)：

上面と下面をもつ誘電基板層と、該誘電基板層の上面に隣接して配列された複数のトランジスタと、同じく該誘電基板層の上面に隣接して配列された複数の電荷蓄積キャパシタであって、各々が前記トランジスタの少なくとも1つに接続された内側導電マイクロプレートを備え、該内側マイクロプレートが前記誘電層に対向する上面をもつ電荷蓄積キャパシタと、前記誘電層の上面に隣接して配置されて、前記トランジスタを電子的にアクチベートして前記キャパシタの各々を個別的にアクセスする手段と、前記トランジスタならびに前記アクチベートおよびアクセス手段の上に積層された光導電層と、前記誘電層の反対側の前記光伝導層上に積層された上部導電層とを含むX線イメージ捕獲エレメントにおいて、それぞれが前記内側マイクロプレートの各々の上面に隣接して配置された複数の電荷バリヤ(阻止)層と、前記光導電層と前記上部導電層間に配置され、これらと同じ広がりをもつバリヤ誘電層とを備えたことを特徴とするX線イメージ捕獲エレメント。

IPC (5)：

G21K 4/00 ,  G01T 1/00 ,  G03B 42/02 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/09

FI (2)：

H01L 27/14 K ,  H01L 31/00 A