Pat

J-GLOBAL ID：200903072564640170

III族窒化物半導体薄膜およびその製造方法

Inventor： 大井 明彦
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 篠部 正治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999099687
Publication number (International publication number)：2000294880
Application date： Apr. 07, 1999
Publication date： Oct. 20, 2000
Summary：

【要約】【課題】 n型ドーパントおよびp型ドーパントを共存させた高ホール濃度のp型の III族窒化物薄膜およびその製造方法を提供することにある。【解決手段】単結晶基板上に形成されたp型のAlx Ga1-X N(0 ≦x ≦1)からなるIII 族窒化物半導体薄膜において、前記Alx Ga1-X N 薄膜には酸素および亜鉛を共に添加する。特に、酸素の亜鉛に対する原子比(O/Zn)を1/5 以上1/2 以下とすると良い。符号1はIII 族原子、2はV 族原子である。

Claim (excerpt)：

単結晶基板上に形成されたp型のAlx Ga1-X N(0 ≦x ≦1)からなるIII 族窒化物半導体薄膜において、前記Alx Ga1-X N 薄膜には酸素および亜鉛が共に添加されていることを特徴とするIII 族窒化物半導体薄膜。

IPC (2)：

H01S 5/323 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 673 ,  H01L 33/00 C

F-Term (10)：

5F041AA24 ,  5F041CA34 ,  5F041CA46 ,  5F041CA53 ,  5F041CA54 ,  5F041CA66 ,  5F073CA07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA06 ,  5F073EA29