二重ゲート・トランジスタおよびその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：坂口博 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002276580
Publication number (International publication number)：2003163356
Application date： Sep. 24, 2002
Publication date： Jun. 06, 2003
Summary：

【要約】【課題】異なるしきい値電圧を有する様々なトランジスタを形成するのを容易にする、二重ゲート・トランジスタとその形成方法を提供する。【解決手段】本発明の実例では、様々なボディ幅を有するトランジスタ群を形成する。様々なボディ幅を有する二重ゲート・トランジスタを形成することにより、好適な実例によれば、製造工程をさほど複雑にすることなく、様々なしきい値電圧を有する二重ゲート・トランジスタを形成できる。本発明の好適な実例は、フィン型の二重ゲート構造を用いることにより実現することができる。フィン型構造においては、ボディの両側に二重ゲートを形成する。このボディは、2つのゲートの間に水平に配置されている。

Claim (excerpt)：

様々なしきい値電圧を有するトランジスタを形成する方法であって、(a)半導体基板を準備するステップと、(b)前記半導体基板上に幅を有する形体を複数個形成するステップと、(c)少なくとも1つの形体の幅を選択的に調整するステップと、(d)前記複数の形体を用いて前記半導体基板をパターニングして複数のトランジスタ・ボディを形成し、前記複数のトランジスタ・ボディの各々の幅が前記複数の形体のうちの対応する1つのものの幅によって少なくとも部分的に決められるようにするステップと、(e)前記複数のトランジスタ・ボディの各々の第1のボディ端に隣接して、第1の仕事関数の第1のゲート構造体を形成するステップと、(f)前記複数のトランジスタ・ボディの各々の第2のボディ端に隣接して、第2の仕事関数の第2のゲート構造体を形成するステップとを備えた方法。

IPC (9)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/8234 , H01L 21/8238 , H01L 27/08 331 , H01L 27/088 , H01L 27/092 , H01L 29/423 , H01L 29/49

FI (8)：

H01L 27/08 331 E , H01L 29/78 617 N , H01L 27/08 102 A , H01L 27/08 321 A , H01L 29/78 616 L , H01L 29/78 618 B , H01L 29/78 613 A , H01L 29/58 G

F-Term (69)：

4M104BB01 , 4M104BB20 , 4M104BB25 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD84 , 4M104FF21 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F048AA01 , 5F048AA09 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048BA02 , 5F048BA16 , 5F048BB01 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BB10 , 5F048BB15 , 5F048BC01 , 5F048BD01 , 5F048BD04 , 5F048BD07 , 5F048BD09 , 5F048BD10 , 5F048BF03 , 5F110AA04 , 5F110AA08 , 5F110BB04 , 5F110CC10 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE22 , 5F110EE42 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF12 , 5F110FF23 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG26 , 5F110GG31 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG37 , 5F110GG52 , 5F110GG57 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ14 , 5F110HK04 , 5F110HK05 , 5F110HK09 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK40 , 5F110QQ02 , 5F110QQ04 , 5F110QQ11 , 5F110QQ19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-246289 Applicant：株式会社東芝

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