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J-GLOBAL ID:200903072594842126
ガス感応性積層体及びその製造方法並びにガスセンサ
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小島 清路
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000297325
Publication number (International publication number):2002107322
Application date: Sep. 28, 2000
Publication date: Apr. 10, 2002
Summary:
【要約】【課題】 絶縁膜と感応膜とが容易に剥離することのないガス感応性積層体及びその製造方法、並びにこのガス感応性積層体を有するガスセンサを提供する。【解決手段】 シリコンウェハ等の半導体層と、二酸化ケイ素等からなる絶縁膜と、酸化チタン、酸化タンタル、酸化クロム、酸化タングステン、酸化ニオブ及び酸化モリブデンのうちの少なくとも1種の酸化物を含む中間層と、Pd、Pt等の金属からなる感応膜とが、この順に積層されてなるガス感応性積層体とする。中間層は、絶縁膜の表面に、酸化物層として形成することができる。また、絶縁膜の表面に、金属層を形成した後、熱処理し、金属層を形成する金属を酸化させ、酸化物層とすることにより形成することもできる。ガスセンサは、このガス感応性積層体、基板、電極等、により形成することができる。
Claim (excerpt):
半導体と、該半導体の表面に形成された絶縁膜と、該絶縁膜の表面に形成された金属からなる感応膜と、を有するガス感応性積層体において、上記絶縁膜と上記感応膜との間に酸化物からなる中間層が積層されていることを特徴とするガス感応性積層体。
F-Term (26):
2G046AA05
, 2G046AA10
, 2G046AA11
, 2G046AA24
, 2G046BA01
, 2G046BA09
, 2G046BB02
, 2G046BF01
, 2G046BJ07
, 2G046EA02
, 2G046EA08
, 2G046EA12
, 2G046FB02
, 2G046FE08
, 2G046FE10
, 2G046FE15
, 2G046FE16
, 2G046FE22
, 2G046FE24
, 2G046FE27
, 2G046FE29
, 2G046FE31
, 2G046FE38
, 2G046FE41
, 2G046FE44
, 2G046FE46
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