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J-GLOBAL ID：200903072601592637
半導体装置の製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小杉 佳男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993131912
Publication number (International publication number)：1994340970
Application date： Jun. 02, 1993
Publication date： Dec. 13, 1994
Summary：
【要約】【目的】一つのチャンバを使用し、雰囲気ガスを切り替えるだけでTi膜とTiN膜を形成でき、また同じチャンバを使用して新たなSi基板にもTi膜とTiN膜を続けて形成できる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】Ti膜を図2の(I)で示されるスパッタ時間に成膜させる。Ti膜を形成した後、窒素ガスの導入を開始し、TiリッチなTiN膜を形成し、続いて化学量論組成のTiN膜を、(II)のスパッタ時間中で10秒経過後、窒素分圧が安定した時点から形成し始める。次に、図2のスパッタシーケンスの(III)のスパッタ時間では、窒素ガスの導入を停止し、アルゴンガスのみによるスパッタに切り替える。
Claim (excerpt)：
スパッタ用チャンバ内にアルゴンガスを導入してアルゴンガス雰囲気とし、該アルゴンガス雰囲気中でプラズマを発生させ、金属膜を形成するためのターゲットをスパッタして基板上に前記金属膜を形成する工程と、前記金属膜を形成した後、前記スパッタ用チャンバ内のプラズマを維持したまま、前記アルゴンガス雰囲気中に窒素ガスを導入して前記アルゴンガス雰囲気をアルゴンガスと窒素ガスの混合ガス雰囲気にし、該混合ガス雰囲気中で前記ターゲットをスパッタして前記金属膜の上に金属窒化物膜を形成する工程と、前記金属窒化物膜を形成した後、前記スパッタ用チャンバ内のプラズマを維持したまま、前記窒素ガスの導入を中止して前記混合ガス雰囲気をアルゴンガス雰囲気にし、該アルゴンガス雰囲気中で前記ターゲットをスパッタして前記金属窒化物膜の上に金属膜を形成する工程と、該工程終了後、前記基板を前記スパッタ用チャンバから取り出し、新たな基板を前記スパッタ用チャンバに装入する工程とを繰り返し行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
C23C 14/34
, H01L 21/203
, H01L 21/285
