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J-GLOBAL ID：200903072615907380

半導体レーザ装置

Inventor： 神里 武
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993114799
Publication number (International publication number)：1994326412
Application date： May. 17, 1993
Publication date： Nov. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 集光精度が高く高い歩留まりを維持した半導体レーザ装置を得る。【構成】 面発光レーザ14の光透過層10の表面上に回折格子型レンズ11が形成される。回折格子型レンズ11は、図1に示すように、フレーズ状に形成され、焦点距離が正の値をもつように、周辺部から中心部11Cにかけてフレーズド角θを大きな値に設定している。なお、回折格子型レンズ11の中心部11Cは、45 ゚傾斜面13とIn Ga As 活性層7との交点P1上に位置する。【効果】 半導体レーザの所定の(発光)面に集光レンズ密着形成することにより、半導体レーザと集光レンズとの位置精度を向上させることができるとともに、集光レンズ自体も既存のエッチング技術で形状精度よく形成することができるため、集光精度が高く、高い歩留まりを維持することができる。

Claim (excerpt)：

所定の面からレーザ光を照射する面発光型の半導体レーザと、前記所定の面に密着形成した正の焦点距離を有する集光レンズとを備えた半導体レーザ装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00