P型電極と活性層との間に効果的な正孔拡散のためのスペーサを備えるGaN面発光レーザダイオードおよびその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：八田幹雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002018803
Publication number (International publication number)：2002237653
Application date： Jan. 28, 2002
Publication date： Aug. 23, 2002
Summary：

【要約】【課題】 GaN面発光レーザダイオードを提供する。【解決手段】本発明の面発光レーザダイオードは、光が発生される活性層40と、活性層を中心に対向するp型物質層m1およびn型物質層m2と、n型物質層m2上に形成された第1ブラッグ反射層49と、第1ブラッグ反射層49の周りのn型物質層m2上に形成されており、第1ブラッグ物質層49を覆うように備えられたn型電極47と、p型物質層m1の上に形成されており、正孔が活性層40の中心部へ円滑に移動できる程度の厚さを有しつつ第1ブラッグ反射層49に対応する領域上にレーザ放出窓48bを備えるスペーサ48と、レーザ放出窓48b上に形成された第2ブラッグ反射層52およびレーザ放出窓48bを取り囲むようにスペーサ54上に形成されるp型電極50を備え、レーザ放出窓48bはスペーサ54によるレーザの回折を相殺させる形であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

活性層と、前記活性層を中心に対向するp型およびn型物質層と、前記n型物質層上に形成された第1ブラッグ反射層と、レイジングのための電圧を前記活性層に印加可能なように、前記n型物質層を介して該活性層に連結されるn型電極と、前記p型物質層上に形成されており、正孔が前記活性層の中心部へ円滑に移動できる程度の厚さを有しながら前記第1ブラッグ反射層に対応する領域上にレーザ放出窓を備えるスペーサと、前記レーザ放出窓上に形成された第2ブラッグ反射層と、レイジングのための電圧を前記活性層に印加可能なように、前記p型物質層を介して該活性層に連結されるp型電極と、を備えることを特徴とする面発光レーザダイオード。

IPC (2)：

H01S 5/183 , H01S 5/343 610

FI (2)：

H01S 5/183 , H01S 5/343 610

F-Term (4)：

5F073AA51 , 5F073AA65 , 5F073AB17 , 5F073CA02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

特開平4-370994
面発光型半導体レーザ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-011791 Applicant：キヤノン株式会社

Cited by examiner (1)

特開平4-370994

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