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J-GLOBAL ID:200903072623096269

ダイヤモンド状被膜形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 西野 卓嗣
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991314732
Publication number (International publication number):1993148617
Application date: Nov. 28, 1991
Publication date: Jun. 15, 1993
Summary:
【要約】【目的】 母材表面に形成された混合層上にダイヤモンド状被膜を形成する際、ダイヤモンド化率の高いダイヤモンド状被膜を形成することが可能なダイヤモンド状被膜形成方法を提供する。【構成】 イオンガン5より母材3表面に向けて炭素イオンを注入することにより、該母材3表面に母材構成原子と炭素との混合層7を形成すると共に、該混合層7の上に蒸発源4より炭素原子を蒸発させて放射すると同時に、前記イオンガン5より水素イオンを放射すると共に、ラジカルガン6より水素ラジカル、又はヘリウムラジカルを放射して、該混合層7表面上にダイヤモンド状被膜8を形成する。
Claim (excerpt):
炭素原子を蒸発させる蒸発源と、水素イオン及び炭素イオンを発生するイオンガンと、水素ラジカル又はヘリウムラジカルを発生するラジカルガンと、炭素原子、水素イオン及び炭素イオン、並びに水素ラジカル又はヘリウムラジカルが到達する母材と、を真空チャンバ内に配置し、前記イオンガンより前記母材表面に向けて炭素イオンを注入することにより、該母材表面に母材構成原子と炭素との混合層を形成すると共に、該混合層の上に前記蒸発源より炭素原子を蒸発させて放射すると同時に、前記イオンガンより水素イオンを放射すると共に、前記ラジカルガンより水素ラジカル、又はヘリウムラジカルを放射して、該混合層表面上にダイヤモンド状被膜を形成することを特徴とするダイヤモンド状被膜形成方法。
IPC (3):
C23C 14/06 ,  B26B 19/00 ,  C23C 14/32

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