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J-GLOBAL ID:200903072626884284

絶縁膜のエツチング方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 樺山 亨 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991265029
Publication number (International publication number):1993082502
Application date: Oct. 14, 1991
Publication date: Apr. 02, 1993
Summary:
【要約】【目的】絶縁膜の端部に緩いテーパー角のテーパーの形成を可能とする絶縁膜のエッチング方法を提供する。【構成】本発明は、基板11上に設けられた絶縁膜12の表面の少なくとも一部分にイオンを注入してエッチレートの高い層13を形成し、絶縁膜の所望のパターンを化学エッチングにより選択除去することによって絶縁膜のパターンの端部をテーパー形状に加工する絶縁膜のエッチング方法において、エッチングに用いるエッチャントが緩衝フッ酸溶液(BHF)等の通常のエッチャントを水により希釈したものであることを特徴とする。【効果】純水により希釈したエッチャントを用いることで、緩いテーパー角θのテーパーの形成が可能となる。
Claim (excerpt):
基板上に設けられた絶縁膜の表面の少なくとも一部分にイオンを注入し、絶縁膜の所望のパターンを化学エッチングにより選択除去することによって絶縁膜のパターンの端部をテーパー形状に加工する絶縁膜のエッチング方法において、エッチングに用いるエッチャントが、通常のエッチャントを水により希釈したものであることを特徴とする絶縁膜のエッチング方法。
IPC (2):
H01L 21/306 ,  C23F 4/00

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