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J-GLOBAL ID:200903072628728344
膜およびそれを用いた有機半導体デバイス
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
中山 亨
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007035909
Publication number (International publication number):2008201819
Application date: Feb. 16, 2007
Publication date: Sep. 04, 2008
Summary:
【課題】塗布法で成膜した場合に、電子輸送性又は電子注入性に優れた膜を提供する【解決手段】アルカリ金属のフェノキシドから水素原子が1個以上脱離した残基を有する高分子化合物を含有する膜;前記繰り返し単位が下記式(1)で示される前記膜;[式中、Mはアルカリ金属を表し、Rは置換基を表す。pは0から4の整数を表す。]前記膜からなる有機半導体デバイス用膜、電子輸送層、電子注入層;前記膜を有する有機半導体デバイス;有機エレクトロルミネッセンス素子;有機薄膜太陽電池。【選択図】なし
Claim (excerpt):
アルカリ金属のフェノキシドから水素原子が1個以上脱離した残基を有する高分子化合物を含有する膜。
IPC (6):
C08F 8/42
, H01L 51/50
, H05B 33/10
, H01L 51/42
, H01L 51/30
, H01L 51/05
FI (7):
C08F8/42
, H05B33/22 B
, H05B33/14 A
, H05B33/10
, H01L31/04 D
, H01L29/28 250G
, H01L29/28 100A
F-Term (15):
3K107AA01
, 3K107CC45
, 3K107DD74
, 3K107DD79
, 3K107GG06
, 4J100AB07P
, 4J100BA01H
, 4J100BA03P
, 4J100CA01
, 4J100CA31
, 4J100HA31
, 4J100HC12
, 4J100JA43
, 5F051AA11
, 5F051CB13
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (4)