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J-GLOBAL ID:200903072628728344

膜およびそれを用いた有機半導体デバイス

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 中山 亨
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007035909
Publication number (International publication number):2008201819
Application date: Feb. 16, 2007
Publication date: Sep. 04, 2008
Summary:
【課題】塗布法で成膜した場合に、電子輸送性又は電子注入性に優れた膜を提供する【解決手段】アルカリ金属のフェノキシドから水素原子が1個以上脱離した残基を有する高分子化合物を含有する膜;前記繰り返し単位が下記式(1)で示される前記膜;[式中、Mはアルカリ金属を表し、Rは置換基を表す。pは0から4の整数を表す。]前記膜からなる有機半導体デバイス用膜、電子輸送層、電子注入層;前記膜を有する有機半導体デバイス;有機エレクトロルミネッセンス素子;有機薄膜太陽電池。【選択図】なし
Claim (excerpt):
アルカリ金属のフェノキシドから水素原子が1個以上脱離した残基を有する高分子化合物を含有する膜。
IPC (6):
C08F 8/42 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/10 ,  H01L 51/42 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/05
FI (7):
C08F8/42 ,  H05B33/22 B ,  H05B33/14 A ,  H05B33/10 ,  H01L31/04 D ,  H01L29/28 250G ,  H01L29/28 100A
F-Term (15):
3K107AA01 ,  3K107CC45 ,  3K107DD74 ,  3K107DD79 ,  3K107GG06 ,  4J100AB07P ,  4J100BA01H ,  4J100BA03P ,  4J100CA01 ,  4J100CA31 ,  4J100HA31 ,  4J100HC12 ,  4J100JA43 ,  5F051AA11 ,  5F051CB13
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1) Cited by examiner (6)
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