Pat

J-GLOBAL ID：200903072630309030

半導体製造装置

Inventor： 大場 隆之 ,  原 樹 ,  鈴木 寿哉 ,  三沢 信裕 ,  各務 克己
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 中島 洋治 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992307420
Publication number (International publication number)：1994163414
Application date： Nov. 18, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 液体ソースを熱分解,酸化反応,または還元反応させて,半導体基板上に半導体,金属,酸化物,窒化物,シリサイドなどの薄膜を堆積するCVD(化学気相成長)装置に関し,処理室に安定して液体ソースを供給できるようにして,均一な薄膜を再現性良く形成できるようにする。【構成】 液体ソース1を収容する圧力容器2内へ与圧ガス3を導入して,圧力容器2の圧力を高めると共に,圧力容器2内の余剰ガス4を外部に放出して,圧力容器2内の圧力を一定に保つ。液体ソース1は,液体ソース輸送管7により,処理室11の近傍まで,液体のまま直接輸送される。処理室11の近傍まで輸送された液体ソース1は,気化・分離器8において,キャリアガス9により単分子または複数分子に気化または分離され,処理室11へ導入されて,ウェハ14上に薄膜を堆積する。

Claim (excerpt)：

液体ソースを熱分解または酸化反応もしくは還元反応させて,半導体基板上に半導体,金属,酸化物,窒化物,シリサイドなどの薄膜を堆積する化学気相成長装置であって,液体ソースを収容する圧力容器と,該圧力容器内へ与圧ガスを導入して,該圧力容器内の圧力を高める与圧手段と,前記圧力容器内の余剰ガスを外部に放出して,圧力容器内の圧力を一定に保つ圧力調節手段と,圧力容器内の液体ソースを処理室の近傍まで,液体のまま直接輸送する手段と,処理室の近傍まで輸送された液体ソースを,キャリアガスにより単分子または複数分子に気化または分離する気化・分離器とを含むことを特徴とする半導体製造装置。