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J-GLOBAL ID：200903072637976423

多孔質低k誘電体膜を分離する構造および方法

Inventor： カート ジー. ステイナー ,  スーザン クレイ ヴィトカヴェージ ,  スチーヴン アラン ライトル ,  ジェラルド ギブソン ,  スコット ジェセッン
Applicant, Patent owner： アギア システムズ インコーポレーテッド
Agent (11)： 岡部 正夫 ,  加藤 伸晃 ,  産形 和央 ,  臼井 伸一 ,  藤野 育男 ,  越智 隆夫 ,  本宮 照久 ,  高梨 憲通 ,  朝日 伸光 ,  高橋 誠一郎 ,  吉澤 弘司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002376123
Publication number (International publication number)：2004006627
Application date： Dec. 26, 2002
Publication date： Jan. 08, 2004
Summary：

【課題】多孔質低k誘電体膜を分離する構造および方法を提供すること。【解決手段】膜構造は、低k誘電体膜18,42および、バリア層膜6、エッチング停止膜30およびハードマスク膜54のようなN-H塩基源膜を含む。この低k誘電体膜と近接N-H塩基膜の間にTEOS膜が挟まれ、このTEOS膜12,24,36,48が、N-H塩基源膜から低k誘電体膜へのアミンまたは他のN-H塩基の拡散を抑制する。化学増幅型フォトレジスト内の酸触媒を中和する塩基基が低k誘電体膜中に存在しないので、この膜構造は、DUVリソグラフィおよび化学増幅型フォトレジストを使用してパターン形成することができる。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

低k誘電体層と、 そこから拡散することができるN-H塩基基を含む窒素塩基層と、 前記低k誘電体層と前記窒素塩基層の間に直接挟まれた酸素含有層とを備える半導体製品。

IPC (3)：

H01L21/768 ,  H01L21/027 ,  H01L21/312

FI (5)：

H01L21/90 M ,  H01L21/312 C ,  H01L21/312 M ,  H01L21/30 563 ,  H01L21/90 V

F-Term (31)：

5F033MM02 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033RR23 ,  5F033RR25 ,  5F033RR29 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033XX24 ,  5F033XX28 ,  5F046HA07 ,  5F058AD05 ,  5F058AD10 ,  5F058AF01 ,  5F058AF04 ,  5F058AH02 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD19 ,  5F058BF25 ,  5F058BJ02